| 摘要 |
镧锶锰氧(La0.7Sr0.3MnO3,LSMO)穿隧磁阻(TMR,tunneling magnetoresistance)接面以一个高阶梯式角度制作于钛酸锶(SrTiO3,STO)基座的阶梯式面(001)上。本发明推论出穿隧元件是一个控制机构，而表面边界的电荷载体控制穿隧导电率。亦首度在室温观测到镧锶锰氧(La0.7Sr0.3MnO3,LSMO)之穿隧元件之穿隧导电现象，显现其应用价值。制程简单、设计容易；且成功地以镧锶锰氧(La0.7Sr0.3MnO3,LSMO)薄膜制作阶梯式穿遂磁阻元件，其最大磁阻达30％(在5K时)，且在室温以上仍有穿遂磁阻。另外，最佳化阶梯式镧锶锰氧(La0.7Sr0.3MnO3,LSMO)穿遂磁阻元件之阶梯角度大于70°，且0.5＜薄膜厚度／阶梯高度＜0.9。影响穿遂磁阻之电子自旋偏极化率，主要为表面边界之磁化强度。 |
