发明名称 Quartz damage repair method for high-end mask
摘要 A method is provided for repairing photolithographic exposure masks. A focused ion-beam exposure of the surface of the exposure mask is used to purposely "damage" this surface over the area where opaque or light-blocking material is required to be present.
申请公布号 US7045256(B2) 申请公布日期 2006.05.16
申请号 US20030425322 申请日期 2003.04.29
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 CHEN SAME-TING;LIN ZY YING
分类号 G03F9/00;G03C5/00;G03F1/00 主分类号 G03F9/00
代理机构 代理人
主权项
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