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发明名称
METHOD FOR PROTECTING GATE OXIDE BY USING ION IMPLANTATION
摘要
申请公布号
KR20060044151(A)
申请公布日期
2006.05.16
申请号
KR20040091975
申请日期
2004.11.11
申请人
HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
发明人
EUN, BYUNG SOO
分类号
H01L21/336
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
主权项
地址
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