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发明名称 METHOD FOR FORMING DUAL POLY SILICON GATE ELECTRODE IN SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR100582365(B1) 申请公布日期 2006.05.15
申请号 KR20050004068 申请日期 2005.01.17
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 AN, HYEON JU
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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