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发明名称 Method of forming a inter dielectric layer in a semiconductor device
摘要
申请公布号 KR100580775(B1) 申请公布日期 2006.05.15
申请号 KR20040048231 申请日期 2004.06.25
申请人 发明人
分类号 H01L21/31 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人
主权项
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