发明名称 从晶圆背面切割以制成封装构造的方法
摘要 本发明涉及一种从晶圆背面切割以制成封装构造的方法,其包括:(a)提供一第一晶圆,该第一晶圆具有一主动面及一背面,该主动面上具有复数条切割线;(b)从该主动面切割该第一晶圆,使其具有一第一参考轴及一第二参考轴,该第二参考轴垂直于该第一参考轴,而形成一参考坐标;(c)提供一第二晶圆,该第二晶圆具有一上表面及一下表面;(d)覆盖且接合该第二晶圆于该第一晶圆之上,该第二晶圆的下表面是面对该第一晶圆的主动面,以形成复数个空腔;及(e)以该参考座标为基准,从该第一晶圆的背面切割该第一晶圆的该等切割线的相对位置,以形成个别的封装构造。其不仅加工时间短且定位方便。
申请公布号 CN1770411A 申请公布日期 2006.05.10
申请号 CN200410088520.9 申请日期 2004.11.05
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 余国宠
分类号 H01L21/50(2006.01);H01L21/78(2006.01);H01L21/301(2006.01) 主分类号 H01L21/50(2006.01)
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人 王允方;刘国伟
主权项 1.一种制成封装构造的方法,其包括:(a)提供一第一晶圆,所述第一晶圆具有一主动面及一背面,所述主动面上具有复数条切割线,所述切割线定义出复数个晶粒,各所述晶粒上具有一环状垫块;(b)从所述主动面切割所述第一晶圆,使其具有一第一参考轴及一第二参考轴,所述第一及第二参考轴与所述晶粒间分别具有一预设距离,所述第二参考轴垂直于所述第一参考轴,而形成一参考座标;(c)提供一第二晶圆,所述第二晶圆具有一上表面及一下表面;(d)覆盖且接合所述第二晶圆于所述第一晶圆之上,所述第二晶圆的下表面是面对所述第一晶圆的主动面,以形成复数个空腔;及(e)以所述参考座标为基准,根据所述预设距离从所述第一晶圆的背面切割所述第一晶圆的所述切割线的相对位置,以形成个别的封装构造。
地址 中国台湾