分离栅极式快闪存储器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种分离栅极式快闪存储器，包括一基底、一导电间柱、一源极及一漏极掺杂区、一绝缘层、一导电间隙壁、一第一绝缘间柱、一第一导电层、及一第一绝缘间隙壁。此基底具有一沟道，其下半部设置有作为源极线的导电间柱。源极掺杂区形成于与导电间柱相邻的基底中，绝缘层则设置于导电间柱上。作为浮置栅极的导电间隙壁设置于沟道上半部内侧壁，第一绝缘间柱设置于沟道内的绝缘层上。作为控制栅极的第一导电层设置于导电间隙壁外侧的部分的基底上且第一绝缘间隙壁设置于导电间隙壁侧壁而覆盖第一导电层。漏极掺杂区形成于第一导电层外侧的基底中。

主权项

1.一种分离栅极式快闪存储器的制造方法，其特征在于，它包括下列步骤：提供一基底，该基底具有一沟道；在该沟道下半部形成一导电间柱以作为一源极线，且该导电间柱与该基底绝缘；在该基底中形成一源极掺杂区且相邻于该导电间柱的上半部；在该导电间柱上形成一绝缘层；在该绝缘层以上的该沟道内侧壁上形成一凸出该基底表面的导电间隙壁以作为一浮置栅极，并与该基底绝缘；在该沟道内的该绝缘层上形成一第一绝缘间柱且其顶部高于该导电间隙壁；在该导电间隙壁外侧的该基底上形成一第一导电层，且该第一导电层分别与该导电间隙壁及该基底绝缘；在该第一绝缘间柱侧壁形成一第一绝缘间隙壁以覆盖部分的该第一导电层；以该第一绝缘间隙壁作为掩模来去除该第一导电层以露出该基底表面，且余留的该第一导电层是作为一控制栅极；以及。在露出的该基底中形成一漏极掺杂区。