发光二极管结构及其制造方法

摘要

一种发光二极管的结构及其制造方法，运用高反射率的布拉格反射层来增加发光二极管的亮度，以避免发出的光被基板吸收掉。是在垂直堆叠的发光二极管晶粒结构中的基板上方提供高铝含量砷化铝镓/磷化铝镓铟层，或高铝含量砷化铝镓/铝含量低于高铝含量砷化铝镓的低铝含量砷化铝镓层来形成高反射率布拉格反射结构，用以反射发光二极管所产生的光，且反射的波长可以涵盖很宽波长范围。其所制造的发光二极管，其发光的亮度可以很显著的被提升。

主权项

1、一种发光二极管的结构，其特征在于：它至少包括基板二侧具有第一表面及第二表面，该第一表面上具有第一电极；发光二极管外延结构形成于该基板的第二表面上，该发光二极管外延结构是由多层III-V族化合物半导体外延层所组成，其中包含一发光的活性层及一布拉格反射层位于该基板与该发光的活性层之间，且该布拉格反射层有部分区域被氧化；该布拉格反射层至少包括一可氧化的半导体层及一半导体层，该可氧化的半导体层是一AlxGa1-xAs层，其中该x为0.8≤x＜1，该可氧化的半导体层的部分区域被氧化成电流无法通过的绝缘层；该可氧化的半导体层与该半导体层交叉堆叠在一起，该可氧化的半导体层比该半导体层较容易被氧化；一第二电极形成于该发光二极管外延结构上。