发明名称 |
用于制备可分离半导体组件的工艺、特别是制成电子器件、光电器件和光学器件用的衬底 |
摘要 |
本发明提供一种制备以包括第一层如薄层(22)的半导体为基础的组件(10、12、22、30)的工艺。该工艺包括以下步骤:只在两层之一(22)上形成界面层(26),使其上形成界面层的层与另一暴露层彼此接触,选择所述界面层(26)作为暴露层中的材料的函数,以便形成键合界面,可以在暴露于预定范围内的温度之后在应力作用下分离该键合界面。本发明还可以应用于电子、光电或光学领域的可与支座分离的衬底的制造。 |
申请公布号 |
CN1771583A |
申请公布日期 |
2006.05.10 |
申请号 |
CN03805027.7 |
申请日期 |
2003.01.21 |
申请人 |
S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
发明人 |
F·勒泰特;B·吉斯伦;O·雷萨克 |
分类号 |
H01L21/18(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01L21/20(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/18(2006.01) |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 |
代理人 |
程伟;戈泊 |
主权项 |
1、一种制备用于电子、光电或光学应用的半导体基组件的工艺,该组件包括第一层如支座层和第二层如薄层,其特征在于包括如下步骤:只在所述两层之一上形成界面层,使其上形成界面层的层与另一暴露层彼此接触,选择所述界面层作为所述暴露层中的材料的函数,以便形成键合界面,所述键合界面在暴露于预定范围内的温度之后,在施加的应力作用下可分离。 |
地址 |
法国贝尔尼 |