| 发明名称 | 具有集成的分布式退耦电容器的电子封装结构 | ||
| 摘要 | 一种电子封装结构，包括：衬底；所述衬底的第一侧上的第一电极层；以预选图形布置在所述第一电极层上的介电材料；和形成多个第二电极的第二电极层，所述第二电极布置在介电材料的所述预选图形上，以便与所述第一电极层一起形成分布式电容结构，其特征在于：在与所述第一侧相对的所述衬底的第二侧上布置第二退耦电容器级并将其电连接到所述分布式电容结构，所述第二退耦电容器级具有高于所述分布式电容结构的电容。 | ||
| 申请公布号 | CN1771601A | 申请公布日期 | 2006.05.10 |
| 申请号 | CN200480009395.6 | 申请日期 | 2004.03.31 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | R·埃尔菲里希;T·迪尔鲍姆;T·G·托勒;R·基维特 |
| 分类号 | H01L23/64(2006.01);H01L23/498(2006.01) | 主分类号 | H01L23/64(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;王忠忠 |
| 主权项 | 1、一种电子封装结构，包括：衬底(4)；在所述衬底(4)的第一侧上的第一电极层(2)；以预选图形布置在所述第一电极层(2)上的介电材料(1)；和形成多个第二电极(3)的第二电极层，该多个第二电极(3)布置在介电材料(1)的所述预选图形上，以便与所述第一电极层(2)一起形成分布式电容结构作为第一退耦级，其特征在于：第二退耦电容器级(9)设置在与所述第一侧相对的所述衬底(4)的第二侧上并电连接到所述分布式电容结构，所述第二退耦电容器级(9)的电容高于所述分布式电容结构的电容。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||