| 发明名称 | 电光基板装置及其制造方法、电光装置、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明的课题是一种电光基板装置，它包括在基板上的像素电极和与该像素电极连接的像素开关用的TFT。该TFT是不具有体触点的SOI结构的P沟道型TFT。这样，适合于扩展各像素的开口区域，同时可以在各像素中构成性能比较高的晶体管，从而可以进行明亮而高品位的图像显示。 | ||
| 申请公布号 | CN1255879C | 申请公布日期 | 2006.05.10 |
| 申请号 | CN02107797.5 | 申请日期 | 2002.03.22 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 片山茂宪 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);G09F9/30(2006.01);G02F1/136(2006.01);G02F1/133(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种电光基板装置，其特征在于：在基板上具有绝缘体层；在该绝缘体层上形成的包含P型的源区和P型的漏区以及沟道区的N型的单晶半导体层；在上述沟道区的上述单晶半导体层上夹着栅绝缘膜形成的栅极；与该栅极连接的扫描线；与上述源区和上述漏区中的一方连接的数据线；以及与上述源区和上述漏区中的另一方连接的像素电极，由上述单晶半导体层、上述栅绝缘膜和上述栅极构成开关控制上述像素电极的P沟道型晶体管。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||