METHOD OF FORMING SILICIDE LAYER IN A SEMICONDUCTOR DEVICE USING A DOUBLE CAPPING LAYER STRUCTURE,申请号KR19990009224-传众专利搜索

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发明名称	METHOD OF FORMING SILICIDE LAYER IN A SEMICONDUCTOR DEVICE USING A DOUBLE CAPPING LAYER STRUCTURE
摘要
申请公布号	KR100578119(B1)	申请公布日期	2006.05.10
申请号	KR19990009224	申请日期	1999.03.18
申请人		发明人
分类号	H01L21/28	主分类号	H01L21/28
代理机构		代理人
主权项
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