Method of forming a gate oxide in a semiconductor device,申请号KR20030000713-传众专利搜索

发明名称	Method of forming a gate oxide in a semiconductor device
摘要
申请公布号	KR100576503(B1)	申请公布日期	2006.05.10
申请号	KR20030000713	申请日期	2003.01.07
申请人		发明人
分类号	H01L21/316;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/314;H01L21/762;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/51;H01L29/788;H01L29/792	主分类号	H01L21/316
代理机构		代理人
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