用于形成半导体元件的板状基体及其制造方法

摘要

根据本发明能够提供弯曲少的板状半导体基体。该板状半导体基体包括硅衬底以及在该硅衬底上用以形成经由用氮化物半导体构成的缓冲区(3)配置的半导体元件的主要部分的主半导体区。缓冲区(3)由多层结构的多个第一缓冲区(9)和单层结构的多个第二缓冲区(10)的交互层叠体形成。第二缓冲区(10)中包含空隙(15)。通过在多层结构的第一缓冲区(9)的相互之间配置具有空隙(15)的第二缓冲区(10)，改善了半导体基体的弯曲且改善了主半导体区的结晶性。

主权项

1.一种用于形成半导体元件的板状基体，其中设有衬底、在所述衬底上配置的缓冲区以及由在所述缓冲区上配置的化合物半导体构成的主半导体区，所述缓冲区由多个多层结构缓冲区和在所述多个多层结构缓冲区的相互之间配置的单层结构缓冲区构成，所述多层结构缓冲区是第一层和第二层的交互层叠体，所述多层结构缓冲区的所述第一层由按预定比例含有铝的氮化物半导体构成，所述多层结构缓冲区的所述第二层由不含铝或比所述第一层小的比例含有铝的氮化物半导体构成，所述单层结构缓冲区由不含铝或比所述第一层小的比例含有铝的氮化物半导体构成且形成得厚于所述第一和第二层且具有空隙。