| 发明名称 | 低介电常数材料以及通过CVD的加工方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露了一种有机氟硅酸盐玻璃薄膜，所述薄膜包含有机物和无机物，不包括明显量的氟碳物。优选的薄膜由下式表示：Si<SUB>v</SUB>O<SUB>w</SUB>C<SUB>x</SUB>H<SUB>y</SUB>F<SUB>z</SUB>，式中v+w+x+y+z＝100％，v从10-35原子％，w从10-65原子％，y从10-50原子％，x从1-30原子％，z从0.1-15原子％，x/z任选地大于0.25，其中，基本上没有氟连接至碳上。另外本发明还提供了一种CVD方法，包括：(a)在真空室内提供基材；(b)将气相反应剂引入真空室中，所述反应剂包含供氟气体、供氧气体、和至少一种选自有机硅烷和有机硅氧烷的前体气体；和(c)对所述室中的气相反应剂施加能量，以使气相反应剂发生反应并在基材上形成薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1255573C | 申请公布日期 | 2006.05.10 |
| 申请号 | CN02120627.9 | 申请日期 | 2002.05.23 |
| 申请人 | 气体产品与化学公司 | 发明人 | M·L·奥内尔;B·K·彼得森;J·L·文森特;R·N·弗蒂斯 |
| 分类号 | C23C16/00(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | C23C16/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;邰红 |
| 主权项 | 1.一种由式SivOwCxHyFz表示的薄膜，式中v+w+x+y+z＝100％，v从10-35原子％，w从10-65原子％，y从10-50原子％，x从2-30原子％，z从0.1-15原子％，其中，低于5％的总氟含量连接至碳上。 | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||