| 发明名称 | 光信息记录介质的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种光信息记录介质的制造方法，光信息记录介质的磁道间距为200至400nm，槽深为20至150nm，是用波长小于450nm的光记录再生，其特征在于，至少依次具有在衬底上形成金属反射层的金属反射层形成工序、在该金属反射层上形成有机色素系记录层的记录层形成工序、以及在记录层上形成被覆层的被覆层形成工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1255795C | 申请公布日期 | 2006.05.10 |
| 申请号 | CN02156087.0 | 申请日期 | 2002.12.16 |
| 申请人 | 富士胶片株式会社 | 发明人 | 角田毅;小泽贵子;石田寿男;水田章 |
| 分类号 | G11B7/26(2006.01) | 主分类号 | G11B7/26(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种光信息记录介质的制造方法，光信息记录介质的磁道间距为200至400nm，槽深为20至150nm，是用波长小于450nm的光记录再生，其特征在于，至少依次具有在衬底上形成金属反射层的金属反射层形成工序、在该金属反射层上用涂布法形成有机色素系记录层的记录层形成工序、以及在记录层上形成0.01～0.5mm的被覆层的被覆层形成工序；上述金属反射层形成工序刚结束至上述被覆层形成工序开始为止的时间为12小时以下。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||