| 发明名称 | 用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法，是先在基板上形成非晶硅层，然后形成一热滞留层于非晶硅层之上，其中，借由对热滞留层的厚度控制，使热滞留层具有一抗反射厚度，以降低非晶硅的全熔临界能量。最后，进行激光加热结晶工序，使非晶硅层结晶为多晶硅层，其中，部份激光能量是穿透热滞留层使熔融非晶硅层，而部份激光能量则保留于热滞留层中，使持续加热非晶硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN1770397A | 申请公布日期 | 2006.05.10 |
| 申请号 | CN200410085851.7 | 申请日期 | 2004.11.01 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 林家兴;陈麒麟;陈昱丞;蔡柏豪 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1.一种用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法，至少包含：形成一非晶硅层于一基板上；形成至少一热滞留层，堆叠于该非晶硅层之上，其中，该热滞留层具有一抗反射厚度，以使降低一非晶硅全熔临界能量；以及进行一激光加热工序，使该非晶硅层转变成一多晶硅层，其中该激光加热工序所使用的一激光光束能量，是部分穿透该热滞留层，以及部分被该热滞留层所吸收。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹县竹东镇中兴路四段195号 | ||