发明名称 |
半导体激光器、其安装方法、安装其的结构和光盘系统 |
摘要 |
本发明涉及一种半导体激光器及其安装方法、安装的结构和光盘系统,所述半导体激光器特征在于,第二覆层和接触层的上部分提供有一对彼此平行且有预定间距的凹槽以在其间形成脊;在脊上形成所述第二导电型侧上的电极;绝缘层设置于脊的侧表面上、凹槽的内部上,以及凹槽的外侧的区域中的接触层上,且位于凹槽的外侧的区域中的接触层上的绝缘层的那些部分的厚度至少大于第二导电型侧上的电极的厚度;以及形成焊盘电极来覆盖第二导电型侧上的电极且延伸到凹槽的外侧的区域的上表面上的绝缘层上,且位于凹槽的外侧的区域的上表面上的焊盘电极的那些部分的上表面设置得高于位于脊的上表面上的焊盘电极的部分的上表面。 |
申请公布号 |
CN1770577A |
申请公布日期 |
2006.05.10 |
申请号 |
CN200510119275.8 |
申请日期 |
2005.11.01 |
申请人 |
索尼株式会社 |
发明人 |
谷口学;竹谷元伸;藤本强;池田昌夫;桥津敏宏 |
分类号 |
H01S5/22(2006.01);H01S5/323(2006.01);H01S5/343(2006.01);H01S5/02(2006.01);G11B7/125(2006.01) |
主分类号 |
H01S5/22(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1、一种半导体激光器,包括:衬底;在所述衬底上的第一导电型的第一覆层;在所述第一覆层上的有源层;在所述有源层上的第二导电型的第二覆层;以及在所述第二覆层上的第二导电型的接触层,其中,所述第二覆层和所述接触层的上部分提供有一对彼此平行且有预定间距的凹槽以在其间形成脊;在所述脊上形成所述第二导电型侧上的电极;绝缘层设置于所述脊的侧表面上、所述凹槽的内部上,以及所述凹槽的外侧的区域中的所述接触层上,且位于所述凹槽的外侧的区域中的接触层上的绝缘层的那些部分的厚度至少大于所述第二导电型侧上的电极的厚度;且形成焊盘电极来覆盖所述第二导电型侧上的电极且延伸到所述凹槽的外侧的区域的上表面上的绝缘层上,且位于所述凹槽的外侧的区域的上表面上的焊盘电极的那些部分的上表面设置于位于所述脊的上表面上的焊盘电极的部分的上表面上方。 |
地址 |
日本东京都 |