非挥发性存储单元的制作方法

摘要

一种非挥发性存储单元的制作方法，先于基底上形成第一介电层，再于第一介电层上形成第二介电层，其中第二介电层具有沟槽。接着，于沟槽的侧壁上形成电荷储存间隙壁。之后，于基底上形成第三介电层，覆盖电荷储存间隙壁以及第一、第二介电层，再于电荷储存间隙壁上方的第三介电层上形成一导体结构。随后，移除未被导体结构覆盖的第三、第二与第一介电层，再于导体结构两侧的基底内形成源极/漏极区。

主权项

1、一种非挥发性存储单元的制作方法，包括：于一基底上形成一第一介电层；于该第一介电层上形成一第二介电层，其中该第二介电层具有一沟槽；于该沟槽的侧壁上形成一对电荷储存间隙壁；于该基底上形成一第三介电层，覆盖该第一介电层、该对电荷储存间隙壁以及该第二介电层；于该对电荷储存间隙壁上方的该第三介电层上形成一导体结构；移除未被该导体结构覆盖的该第三介电层、该第二介电层与该第一介电层；以及于该导体结构两侧的该基底内形成多个源极/漏极区。