| 发明名称 | 衬底的处理方法及用于该方法的药液 | ||
| 摘要 | 本发明提供可以使通过第2次显影处理可以将有机膜图案加工成新的图案形状的处理顺利进行的衬底处理方法。依次进行：用于将衬底加热的加热处理、用于将有机膜图案表面上形成的破坏层除去的前处理、用于将有机膜图案的至少一部分缩小或者将所述有机膜图案的一部分除去的显影处理(第2次)。通过在由前处理除去破坏层后进行显影处理，可以顺利地、均一性良好地进行第2次的显影处理。因此，可以均一性良好地进行在显影处理后进行的底膜的图案加工。 | ||
| 申请公布号 | CN1770389A | 申请公布日期 | 2006.05.10 |
| 申请号 | CN200510054813.X | 申请日期 | 2005.03.18 |
| 申请人 | NEC液晶技术株式会社 | 发明人 | 城户秀作 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/027(2006.01);G03F7/26(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 樊卫民;杨青 |
| 主权项 | 1.衬底上形成的有机膜图案的处理方法，其包括：加热步骤，对所述有机膜图案进行加热；和主步骤，缩小所述有机膜图案的至少一部分，或除去所述有机膜图案的一部分。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||