| 发明名称 | 有机金属化合物 | ||
| 摘要 | 提供了一种用于化合物半导体制造中的组合物。还提供了使用这些组合物的化合物半导体的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1769288A | 申请公布日期 | 2006.05.10 |
| 申请号 | CN200510128381.2 | 申请日期 | 2005.10.08 |
| 申请人 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 发明人 | D·V·谢奈哈特哈特;E·沃尔科 |
| 分类号 | C07F5/00(2006.01) | 主分类号 | C07F5/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 沙永生 |
| 主权项 | 1、一种在基材上沉积含有IIIA族金属的膜的方法，包括以下步骤：a)将具有分子式R3M的IIIA族金属化合物以气相传输至含有基材的沉积室中，其中M是IIIA族金属，各R独立地是(C1-C10)有机基或氢；b)将催化量的催化剂化合物以气相传输至含有基材的沉积室中；c)将VA族气态化合物传输至含有基材的沉积室中；d)在沉积室中分解IIIA族金属化合物和VA族气态化合物；和e)在基材上沉积包含IIIA族金属的膜，其中催化剂化合物催化了VA族气态化合物的分解。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||