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经营范围
发明名称
GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
摘要
申请公布号
KR100576847(B1)
申请公布日期
2006.05.10
申请号
KR20030041837
申请日期
2003.06.26
申请人
发明人
分类号
H01L33/00;H01L33/42;H01L33/40
主分类号
H01L33/00
代理机构
代理人
主权项
地址
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