| 发明名称 | 信息记录介质及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供在高密度记录中不设界面层还能获得可靠性与重复改写性能两者兼优的信息记录介质，其解决手段是在基板上至少装备记录层(4)和反射层(8)，记录层通过光学手段或电学手段在晶相和非晶相之间引起相变，在基板上还装备由表记为(ZrO<SUB>2</SUB>)<SUB>X</SUB>-(Zn-S)<SUB>100-X</SUB>(摩尔％)、且X处于50≤X≤80范围内的材料构成的介电体层(2)、(6)。 | ||
| 申请公布号 | CN1255792C | 申请公布日期 | 2006.05.10 |
| 申请号 | CN02155784.5 | 申请日期 | 2002.12.06 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 儿岛理惠;土生田晴比古;山田昇 |
| 分类号 | G11B7/24(2006.01);G11B7/26(2006.01) | 主分类号 | G11B7/24(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 范征 |
| 主权项 | 1.一种信息记录介质，其特征在于，它含有基板、记录层，上述记录层通过光照或施加电能产生晶相与非晶相之间的相变，它还含有含Zr、Zn、S和O的Zr-Zn-S-O系材料层，所述Zr-Zn-S-O系材料层由式(1)表示的材料构成：ZrBZnCSDO100-B-C-D(原子％)......(1)式中B、C和D分别在8≤B≤33、3≤C、C≤D≤2C＜45的范围内，而且40≤B+C+D≤80，所述Zr-Zn-S-O系材料层是在厚度方向上与所述记录层接触的两层中的至少一层，或是与记录层侧面接触的层；所述Zr-Zn-S-O系材料层用单个溅射靶通过溅射形成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府门真市 | ||