| 发明名称 | 蚀刻法及蚀刻液 | ||
| 摘要 | 在基体上的银或银合金薄层通过蚀刻液而均匀地被蚀刻，而不产生蚀刻残留，同时可避免由于过度腐蚀导致的侧面腐蚀。该蚀刻液含有0.005～1重量％的银离子。蚀刻液供入罐或蚀刻液供料设备中，而后使之与基体上的银或银合金薄层接触。 | ||
| 申请公布号 | CN1255864C | 申请公布日期 | 2006.05.10 |
| 申请号 | CN02141824.1 | 申请日期 | 2002.07.23 |
| 申请人 | 索尼公司;STLCD株式会社;三菱化学株式会社 | 发明人 | 宗像昌树;小松洋仁;公文哲史;寺本和真;合田信弘;元井政和;齐藤范之;榊原利明;石川诚 |
| 分类号 | H01L21/3213(2006.01);C23F1/30(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3213(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;郭广迅 |
| 主权项 | 1.一种用于蚀刻基体上的银或银合金薄层的蚀刻法，包括：将蚀刻液供入蚀刻罐或蚀刻液供料设备中的步骤，其中蚀刻液含0.005～1重量％的银离子，0.1～15重量％的硝酸，1～50重量％的乙酸，10～80重量％的磷酸，和5～50重量％的水，并使所述层与蚀刻液接触。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||