发明名称 |
制造双极型半导体元件的方法和相应的双极型半导体元件 |
摘要 |
公开了一种双极型半导体元件的制造方法,以及双极型半导体元件。该方法包括:在半导体基片上配备第一导电型的第一半导体区域;在第一半导体区域上配备第一导电型的连接区域;在连接区域上配备第一绝缘区域;在第一绝缘区域和连接区域内形成窗口,以便至少部分地暴露第一半导体区域;在窗口中配备侧壁分隔片,以便绝缘端子区域;配备第二导电型的第二半导体区域,以便覆盖侧壁分隔片,以及环绕第一绝缘区域的一部分;移除环绕第一绝缘区域和侧壁分隔片,以便形成连接区域与第二半导体区域之间的间隙;以及当借助于第二绝缘区域密封所述间隙时,在所密封的间隙内部配备气体气氛或真空气氛。 |
申请公布号 |
CN1771605A |
申请公布日期 |
2006.05.10 |
申请号 |
CN200480009511.4 |
申请日期 |
2004.04.08 |
申请人 |
印芬龙科技股份有限公司 |
发明人 |
约瑟夫·伯克;托马斯·迈斯特;赖因哈德·施滕格尔;希尔伯特·舍费尔 |
分类号 |
H01L29/732(2006.01);H01L29/737(2006.01);H01L21/331(2006.01);H01L29/06(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/732(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
朱进桂 |
主权项 |
1、一种制造双极型半导体元件,尤其是双极型晶体管的方法,包括以下步骤:在半导体基片(1)上配备第一导电型(p)的第一半导体区域(32,34);在所述半导体区域(32,34)上配备第一导电型(p+)的端子区域(40);在所述端子区域(40)上配备第一绝缘区域(35”);以至少部分地暴露所述半导体区域(32,34)为目的而在第一绝缘区域(35”)和端子区域(40)中形成窗口(F);以绝缘所述端子区域(40)为目的而在窗口(F)中配备侧壁分隔片(80);以覆盖侧壁分隔片(80)并且环绕第一绝缘区域(35”)的一部分的方式配备第二导电型(n+)的第二半导体区域(60);以形成端子区域(40)与第二半导体区域(60)之间的间隙(LS)为目的而移除环绕第一绝缘区域(35”)和侧壁分隔片(80);以及用第二绝缘区域(100)封闭间隙(LS),同时在所封闭的间隙(LS)中提供气体或真空的气氛。 |
地址 |
德国慕尼黑 |