| 发明名称 | 一种存储装置及其钝化层形成方法 | ||
| 摘要 | 一种存储装置，包含：一半导体衬底，上有存储单元；一内联线结构，位于该半导体衬底上，耦合于该存储单元；一钝化层，覆盖于该内联线结构上，包含：一高密度等离子体沉积氧化物层，覆盖于该内联线结构表面；一氮氧化硅层，覆盖于高密度等离子体氧化物层上；一介电层，如磷硅玻璃，覆盖于氮氧化硅层上。其中高密度等离子体沉积氧化物层、氮氧化硅层与介电层形成该存储装置一外部钝化层结构，可以提供良好的数据保持能力效果与氢阻挡能力。 | ||
| 申请公布号 | CN1255877C | 申请公布日期 | 2006.05.10 |
| 申请号 | CN02108458.0 | 申请日期 | 2002.04.01 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 邱宏裕;曾铕寪;吕文彬;薛正诚;郑培仁;徐富祥 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈红;潘培坤 |
| 主权项 | 1.一种存储装置，包含：一半导体衬底，其上布有一存储单元；一内联线结构，位于该半导体衬底上，耦合于该存储单元；以及一钝化层，覆盖于该内联线结构，包含：一高密度等离子体沉积氧化物层，覆盖于该内联线结构表面上；以及一氮氧化硅层，覆盖于该高密度等离子体沉积氧化物层表面。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||