| 发明名称 | 半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法，其中半导体机器具有一溅射室，溅射室内设有一晶片载台用以承载晶片，其中晶片承载机构表面清洁方法包括有下列步骤：调整半导体机器至一清洁状态，此时可产生一等离子体，并利用等离子体去清除晶片载台上的氧化污染物，再调整半导体机器至一释放状态，使等离子体停止产生。而前述的清洁状态至少包括三个步骤：于溅射室通入一保护气体；将晶片载台的射频功率加至一适当范围；维持晶片载台的射频功率在适当范围一段时间。前述的释放状态至少包括二个步骤：将晶片载台的射频功率归零；泄去溅射室的保护气体。 | ||
| 申请公布号 | CN1770398A | 申请公布日期 | 2006.05.10 |
| 申请号 | CN200410089716.X | 申请日期 | 2004.11.02 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 张济云;蔡姚彬 |
| 分类号 | H01L21/203(2006.01);B08B9/00(2006.01);B08B5/00(2006.01);C23C14/58(2006.01) | 主分类号 | H01L21/203(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法，该半导体机器具有一溅射室，该溅射室内设有一晶片载台用以承载晶片，其中该晶片承载机构表面清洁方法包括：将该溅射室通入一保护气体；将该晶片载台的射频功率加至一操作功率；以及保持该晶片载台的射频功率在该操作功率至少十分钟。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||