| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种具有由形成在硅基板(10)上的多晶硅膜所构成的电阻元件(26)的半导体装置，电阻元件(26)具有：电阻部(26a)，其电阻值被设定为规定的值；接触部(26b)，其形成在电阻部(26a)的两端部，并与施加固定电位的配线相连接；散热部(26c)，其与接触部(26b)相连接。从而，能够提供一种具有寄生电容小、且散热性优越的电阻元件的半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN1771602A | 申请公布日期 | 2006.05.10 |
| 申请号 | CN03826553.2 | 申请日期 | 2003.07.31 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 野村浩 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L27/06(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高龙鑫;王玉双 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其具有由形成在半导体基板上的多晶硅膜构成的电阻元件，其特征在于，上述电阻元件具有：电阻部，其将电阻值设定为规定的值；接触部，其形成于上述电阻部的端部，且与施加固定电位的配线相连接；散热部，其与上述接触部相连接。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县 | ||