同一半导体芯片不同周期全息光栅的制作方法

摘要

一种同一半导体芯片上不同周期全息光栅的制作方法，包括：在衬底上依次生长下波导层、多量子阱层、上波导层和保护层，得到含有半导体波导结构的芯片；将含有半导体波导结构芯片上表面的保护层均匀地涂光刻胶、掩膜光刻、显影、部分腐蚀保护层，得到第一周期光栅的制作区域；采用光学全息曝光的方法在腐蚀掉保护层的部分、上波导层上制作第一周期光栅；腐蚀掉剩余的保护层；在整个芯片表面均匀地涂聚酰亚胺，保护第一周期光栅；在聚酰亚胺表面涂光刻胶，掩膜光刻，显影定形；部分腐蚀第二周期光栅区域表面的聚酰亚胺，得到第二周期光栅的制作区域；采用光学全息曝光的方法在腐蚀掉聚酰亚胺的部分、上波导层上制作第二周期光栅。

主权项

1、一种同一半导体芯片上不同周期全息光栅的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次生长下波导层、多量子阱层、上波导层和保护层，得到含有半导体波导结构的芯片；步骤2：将含有半导体波导结构芯片上表面的保护层均匀地涂光刻胶、掩膜光刻、显影、部分腐蚀保护层，得到第一周期光栅的制作区域；步骤3：采用光学全息曝光的方法在腐蚀掉保护层的部分、上波导层上制作第一周期光栅；步骤4：腐蚀掉剩余的保护层；步骤5：在整个芯片表面均匀地涂聚酰亚胺，保护第一周期光栅；步骤6：在聚酰亚胺表面涂光刻胶，掩膜光刻，显影定形；步骤7：部分腐蚀第二周期光栅区域表面的聚酰亚胺，得到第二周期光栅的制作区域；步骤8：采用光学全息曝光的方法在腐蚀掉聚酰亚胺的部分、上波导层上制作第二周期光栅。