发明名称 修改内存缓冲区中位字段的方法与装置
摘要 本发明公开了一种使用位模式修改数据项中选定数据部分的方法。所述方法识别待修改的数据部分。该方法通过访问多个字段进一步选定一个字段。所述字段包括多个重复出现的位模式。相邻字段具有相同的位模式,但偏移至少一位。所述方法选择—掩码以获得一个在选定的字段中选定的位模式,而该位模式与所述已识别的数据项是对齐的。该方法通过使用所述位模式中一个选定的位模式,在所述已识别数据部分上执行一个预定的位操作,来修改所述已识别数据部分。本发明也公开了实现上述方法的一种处理器。
申请公布号 CN1255722C 申请公布日期 2006.05.10
申请号 CN01144202.6 申请日期 2001.12.12
申请人 飞思卡尔半导体公司 发明人 马春奇;陈伟东;莫君亮;王可宇
分类号 G06F9/308(2006.01) 主分类号 G06F9/308(2006.01)
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 沙捷
主权项 1.一种使用一种位模式修改数据项选定数据部分的方法,所述方法包括:识别待修改的数据部分,其中,在与显示屏相应的内存缓冲区多个数据项中选择一个数据项,然后识别对应于所述显示屏上一个像素的数据部分;通过访问多个字段来选择一个字段,所述字段包括多个重复出现的位模式,其中,相邻字段具有相同的位模式,但偏移至少一位;选择一个掩码,以在所述选定字段中获得一个选定的所述位模式,而选定的位模式与所述已识别的数据部分是对齐的;以及通过使用所述位模式中一个选定的位模式,在所述已识别数据部分上执行一个预定的位操作,来修改所述的已识别数据部分。
地址 美国德克萨斯州