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Método de fabricacion de un dispositivo optoelectronico que comprende depositar sobre un primer electrodo con ITO, por deposicion en fase vapor orgánica a 0, 15 a 0, 80 Torr, una primera capa de un primer material orgánico de moléculas pequenas, con CuPc y que tiene protuberancias cuya dimension más pequena y el espacio entre ellas e 1 a 5 veces la longitud de difusion de excitones de dicho primer material y la dimension lateral más pequena es al menos 5% menor que el espesor del dispositivo, depositar una segunda capa plana que comprende un polímero o material semiconductor con PTCBI y un metal, sobre la primera en contacto físico con la primera, depositar un segundo electrodo sobre la segunda capa. La interconexion segunda/primera capa es heterounion global. Cuando la primera capa es donador de electrones la segunda es aceptor y el primer electrodo es ánodo y el segundo cátodo y viceversa. También puede incluir una capa de recombinacion de cargas, una tercera capa de bloqueo de excitones, de material orgánico, con protuberancias, una cuarta capa, una quinta capa y un tercer electrodo. Tiene una densidad de corriente mayor de 9 mA/cm2, tension a circuito abierto de 0,5 a 1 voltio, resistencia menor de 10 omega.cm2, y eficiencia mayor de 1, 5% a 100mW/cm2 de iluminacion. Se aplica en el campo de la electronica con células fotovoltaicas orgánicas de alta eficiencia y costo economico.
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