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发明名称 THIN FILM TRANSISTOR HAVING GATE INSULATION LAYER CAPABLE OF INCREASING ELECTRON MOBILITY AND CURRENT TO PREVENT LEAKAGE CURRENT
摘要
申请公布号 KR100580384(B1) 申请公布日期 2006.05.09
申请号 KR19970080238 申请日期 1997.12.31
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 YOON, JU AE
分类号 H01L29/78 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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