A method for forming a gate electrode of a semiconductor device,申请号KR20030098716-传众专利搜索

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发明名称	A method for forming a gate electrode of a semiconductor device
摘要
申请公布号	KR100576448(B1)	申请公布日期	2006.05.08
申请号	KR20030098716	申请日期	2003.12.29
申请人		发明人
分类号	H01L21/336	主分类号	H01L21/336
代理机构		代理人
主权项
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