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发明名称
METHOD FOR FABRICATING THE POLY SILICON GATE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号
KR100580050(B1)
申请公布日期
2006.05.08
申请号
KR20040115636
申请日期
2004.12.29
申请人
DONGBU ELECTRONICS CO., LTD.
发明人
KIM, HAG DONG
分类号
H01L21/336
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
主权项
地址
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