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发明名称 MOS TRANSISTOR HAVING RECESSED GATE ELECTRODE METHOD OF FABRICATING THE SAME
摘要
申请公布号 KR20060039366(A) 申请公布日期 2006.05.08
申请号 KR20040088512 申请日期 2004.11.02
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 KIM, YONG SUNG;CHUNG, TAE YOUNG
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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