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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines InGaAsN Halbleiters mit hoher Qualität
摘要
申请公布号 DE60209610(D1) 申请公布日期 2006.05.04
申请号 DE2002609610 申请日期 2002.10.17
申请人 AGILENT TECHNOLOGIES, INC. 发明人 TAKEUCHI, TETSUYA;CHANG, YING-LAN;BOUR, DAVID P.;LEARY, MICHAEL H.;TAN, MICHAEL R. T.;LUAN, ANDY
分类号 C23C16/30;H01L21/331;C23C16/44;C30B25/02;H01L21/205;H01L29/737;H01S5/183;H01S5/323 主分类号 C23C16/30
代理机构 代理人
主权项
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