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发明名称 REDUNDANCY CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND REPAIR METHOD
摘要
申请公布号 KR20060038667(A) 申请公布日期 2006.05.04
申请号 KR20040087784 申请日期 2004.11.01
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 MIN, BYUNG JUN;LEE, KANG WOON;LEE, HAN JOO;JEON, BYUNG GIL
分类号 G11C29/00 主分类号 G11C29/00
代理机构 代理人
主权项
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