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Das erfindungsgemäße Halbleiterbauteil umfaßt ein partielles SOI-Substrat mit einer Oxidschicht 52; einen lateralen ersten MOSFET-Abschnitt 1 mit einer planaren Steuerelektrodenstruktur, der in dem Teil des partialen SIO-Substrats gebildet ist, in dem sich die Oxidschicht 52 befindet; einen vertikalen zweiten MOSFET-Abschnitt 2 mit einer Graben-Steuerelektroden-Struktur, der in dem Teil des partiellen SOI-Substrats gebildet ist, in dem sich die Oxidschicht 52 nicht befindet, und der an den ersten MOSFET-Abschnitt 1 angrenzt, welch letzterer eine erste p-leitende Basisregion 54 auf der Oxidschicht 52 enthält. Der zweite MOSFET-Abschnitt 2 enthält eine zweite n·+·-leitende Abflußregion 51, eine zweite n-leitende Driftregion 53 auf der zweiten n·+·-leitenden Abflußregion 51 und eine zweite p-leitende Basisregion 56 im Oberflächenanteil der zweiten n-leitenden Driftregion 53. Die Höhe H1 des pn-Übergangs zwischen der zweiten n-leitenden Driftregion 53 und der zweiten p-leitenden Basisregion 56 von der zweiten n·+·-leitenden Abflußregion 51 aus ist geringer als die Höhe H2 der Grenzfläche zwischen der Oxidschicht 52 und der ersten p-leitenden Basisregion 54 von der zweiten n·+·-leitenden Abflußregion 51 aus, so daß die Oxidschicht 52 als Feldplatte wirkt. Das ein vertikales Element und ein laterales Element in der beschriebenen Konfiguration enthaltende Halbleiterbauteil ergibt die Möglichkeit, daß die zweite n-leitende Driftregion 53 hoch dotiert wird, während eine ...
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