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Verfahren zum Unterteilen eines Wafers, der eine Mehrzahl von Unterteilungslinien aufweist, die in einem Gittermuster auf der vorderen Oberfläche ausgebildet werden, in individuelle Chips entlang der Unterteilungslinien, wobei das Verfahren umfaßt: einen Ausbildungsschritt einer verschlechterten Schicht, um eine verschlechterte Schicht in dem Inneren des Wafers durch Aufbringen eines Laserstrahls, der fähig ist, durch den Wafer durchzutreten, entlang der Unterteilungslinien auszubilden; einen Waferunterstützungsschritt, um eine Oberflächenseite des Wafers auf ein Supportklebeband zu legen, welches auf einem ringförmigen Rahmen festgelegt wird und durch einen externen Stimulus bzw. Reiz schrumpft; einen Waferunterteilungsschritt zum Unterteilen des Wafers entlang der Unterteilungslinien, wo die verschlechterte Schicht ausgebildet wurde, durch Ausüben einer externen Kraft auf den Wafer, welcher auf das Supportklebeband aufgebracht wurde; und einen Chipabstandsausbildungsschritt zum Schrumpfen des Schrumpfbereichs zwischen dem Innenumfang des ringförmigen Rahmens und der Fläche, auf welcher der Wafer festgelegt wird, in dem Supportklebeband, das auf dem unterteilten Wafer festgelegt wird, durch Ausüben eines externen Stimulus auf den Schrumpfbereich. |
