发明名称 METHOD FOR FABRICATION OF ALGAINN BASED P-N DIODE USING HYDRAZINE NITROGEN PRECURSORS
摘要
申请公布号 KR20060038963(A) 申请公布日期 2006.05.04
申请号 KR20060019669 申请日期 2006.02.28
申请人 EPIVALLEY CO., LTD. 发明人 PARK, JOONG SEO;YOO, TAE KYUNG
分类号 H01L33/24 主分类号 H01L33/24
代理机构 代理人
主权项
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