FinFET体接触结构和创建此结构的方法

摘要

本发明公开了一种FinFET体接触结构和用于创建该FinFET体接触结构的方法。该体接触结构包括半导体鳍的宽鳍部分，该宽鳍部分具有形成于该宽鳍部分的顶表面上的多晶硅多边形形状。该多晶硅多边形形状具有无多晶硅的中心区域。在宽鳍部分的两个垂直表面上形成FinFET，并且将该FinFET的栅极耦合到多晶硅多边形形状。对宽鳍部分和多晶硅多边形形状的顶表面进行硅化。通过侧壁衬垫来避免硅化物桥接。多晶硅多边形形状上的所有凸角都是钝角，以避免产生桥接顶点。从相关联的FinFET的源极和漏极开始，对中心区域进行相反类型的掺杂。

主权项

1.一种FinFET体接触结构，包括：半导体鳍，形成于绝缘体上，还包括具有一个顶表面和两个或更多的垂直表面的宽鳍部分；多晶硅多边形形状，形成于所述宽鳍部分的顶表面上，由薄氧化物层将所述多晶硅多边形形状与所述宽鳍部分隔开，所述多晶硅多边形形状具有无多晶硅的中心区域；第一FinFET，具有栅极，该栅极包括形成于所述宽鳍部分的第一垂直表面上的第一多晶硅形状，由薄氧化物层将所述第一多晶硅形状与所述宽鳍部分的所述垂直表面隔开，所述第一FinFET耦合到所述多晶硅多边形形状；第二FinFET，具有栅极，该栅极包括形成于所述宽鳍部分的第二垂直表面上的第二多晶硅形状，由薄氧化物层将所述第二多晶硅形状与所述第二垂直表面隔开；以及接触部分，在中心区域内，适于将所述中心区域耦合到电导体。