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发明名称 GaN-based LED and manufacturing method of the same utilizing the technique of saphire etching
摘要
申请公布号 KR100576317(B1) 申请公布日期 2006.05.03
申请号 KR20030096674 申请日期 2003.12.24
申请人 发明人
分类号 H01L33/00;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/46 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
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