| 发明名称 | 具有应变硅层的晶片结构体的制造方法和该方法的中间产物 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有应变硅层的晶片结构体的制造方法和该方法的中间产物。该制造方法包括：提供包含支撑基片并且在顶部具有应变硅模型层的原型晶片；在应变硅模型层上外延生长松弛的辅助SiGe层；在松弛的辅助SiGe层上外延生长应变硅应用层；和在辅助SiGe层中形成的预定剥离区处剥离该结构体。该中间产物包括：包含支撑基片和应变硅模型层的原型晶片；位于应变硅模型层上的松弛的辅助SiGe层，其中在该松弛的辅助SiGe层中形成预定的剥离区；和位于该辅助SiGe层上的应变硅应用层。 | ||
| 申请公布号 | CN1767148A | 申请公布日期 | 2006.05.03 |
| 申请号 | CN200510105083.1 | 申请日期 | 2005.09.26 |
| 申请人 | 硅绝缘体技术有限公司 | 发明人 | 伊夫－马蒂厄·拉瓦伊兰特 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁香兰 |
| 主权项 | 1.具有应变硅层的晶片结构体的制造方法，该方法包括：提供包含支撑基片(1)和位于顶部的应变硅模型层(3)的原型晶片(4，6)；在所述应变硅模型层(3)上外延生长松弛的辅助SiGe层(8)；在所述辅助SiGe层(8)上外延生长应变硅应用层(11)；和在所述辅助SiGe层(8)中形成的预定剥离区(9)处剥离所述结构体。 | ||
| 地址 | 法国伯涅尼 | ||