发明名称 |
编制多阶相变记忆体装置的方法 |
摘要 |
一种编制相变装置的方法,包括选定所期望的临界电压并向相变装置中的相变材料上施加程式化脉冲。程式化脉冲的施加包括向相变材料上施加一定能量,以在熔化能阶之上驱动至少部分该材料。施加到相变材料上的部分能量可以消散至熔化能阶之下。能量从相变材料上消散的形态受到控制,直到施加到相变材料上的能量少于淬火能阶为止,以使得相变装置具有所期望的临界电压。而施加到相变材料上的剩余能量可以消散到环境能阶。 |
申请公布号 |
CN1767047A |
申请公布日期 |
2006.05.03 |
申请号 |
CN200510088875.2 |
申请日期 |
2005.07.29 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
李明修;陈逸舟 |
分类号 |
G11C7/00(2006.01);G11C16/10(2006.01) |
主分类号 |
G11C7/00(2006.01) |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
1、一种编制相变装置的方法,其特征在于其包括:选定所期望的临界电压(Vth);以及向相变装置中的相变材料上施加一程式化脉冲,包括:向相变材料施加一定能量,以在熔化能阶之上驱动至少部分该相变材料,该能量被施加一个第一时间区间;允许施加到相变材料上的部分能量消散至熔化能阶之下;控制从相变材料上能量消散的形态,直到施加到相变材料上的能量少于淬火能阶为止,其中控制能量消散的形态以使得相变装置具有所期望的临界电压;以及允许施加到相变材料上的剩余能量消散到一环境能阶。 |
地址 |
中国台湾 |