| 发明名称 | 光电二极管阵列及其制造方法和放射线检测器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种光电二极管阵列(1)，包括n型硅基板(3)。在n型硅基板(3)的被检测光L的入射面的相反面一侧，以阵列状形成有多个光电二极管(4)。在n型硅基板(3)的被检测光L的入射面一侧的形成有光电二极管(4)的区域所对应的区域上，形成有具有规定深度的凹部(6)，所述凹部(6)比形成有光电二极管(4)的区域所未对应的区域还凹陷。 | ||
| 申请公布号 | CN1768429A | 申请公布日期 | 2006.05.03 |
| 申请号 | CN200480008448.2 | 申请日期 | 2004.03.25 |
| 申请人 | 浜松光子学株式会社 | 发明人 | 柴山胜己 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L31/10(2006.01);G01T1/20(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种光电二极管阵列，其特征在于：包括半导体基板，在所述半导体基板中的被检测光的入射面的相反面一侧，以阵列状形成有多个光电二极管，在所述半导体基板的被检测光的所述入射面一侧中的、与形成有所述光电二极管的区域所对应的区域上，形成有具有规定深度的凹部，其比与形成有所述光电二极管的区域不对应的区域还凹陷。 | ||
| 地址 | 日本国静冈县 | ||