| 发明名称 |
Polycrystalline memory structure, method for forming same structure, and semiconductor memory device using same structure |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1345259(A3) |
申请公布日期 |
2006.05.03 |
| 申请号 |
EP20030251457 |
申请日期 |
2003.03.11 |
| 申请人 |
SHARP KABUSHIKI KAISHA |
发明人 |
HSU, SHENG TENG;LI, TINGKAI;ZHANG, FENGYAN;ZHUANG, WEI-WEI |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L27/10;G11C11/00;H01L21/28;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L27/105;H01L29/788;H01L29/792;H01L43/08;H01L45/00 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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