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发明名称 Three dimensional CMOS field effect transistor and method of fabricating the same
摘要
申请公布号 KR100576361(B1) 申请公布日期 2006.05.03
申请号 KR20040019754 申请日期 2004.03.23
申请人 发明人
分类号 H01L21/8238;H01L21/336;H01L21/8242;H01L21/84;H01L27/12;H01L29/786 主分类号 H01L21/8238
代理机构 代理人
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