发明名称 将数据写入光学存储介质的方法
摘要 本发明提供一种使用光学存储装置将数据写入光学存储介质的方法,其包含有以下步骤:提供EFM波形至该光学存储装置,该EFM波形包含有前一纹间表面、当前坑区及后一纹间表面;依据该前一纹间表面、该当前坑区及该后一纹间表面的波形长度,从存储器中所存储的多组写入方案参数中选取一组写入方案参数;依据该组写入方案参数,产生写入时间长度波形;以及利用该写入时间长度波形驱动光学拾取器来将数据写入该光学存储介质。
申请公布号 CN1254797C 申请公布日期 2006.05.03
申请号 CN03104481.6 申请日期 2003.02.17
申请人 联发科技股份有限公司 发明人 赵铭阳
分类号 G11B7/0045(2006.01);G11B20/08(2006.01) 主分类号 G11B7/0045(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 邸万奎;黄小临
主权项 1.一种使用光学存储装置将数据写入光学存储介质的方法,该光学存储装置包含有存储器及光学拾取器,该存储器中存储有多组写入方案参数,该方法包含有以下步骤:提供RLL调制波形至该光学存储装置,该RLL调制波形包含有前一纹间表面、当前坑区以及后一纹间表面,还具有基准周期,且当该光学存储装置未写入数据时,该写入时间长度波形是处于消除态,当该光学存储装置欲写入数据时,该写入时间长度波形则处于基准态且依序包含有多个脉冲,该脉冲是使该写入时间长度波形自该基准态切换至写入态;依据该前一纹间表面、该当前坑区以及该后一纹间表面的波形长度,从该存储器中所存储的多组写入方案参数中选取一组相应的写入方案参数,包含有多个第一参数及多个第二参数,每个该第一参数代表自该当前坑区的前缘至该写入时间长度波形的第一个脉冲的前缘的延迟,每个该第二参数代表自该写入时间长度波形的第一个脉冲的后缘至该第一个脉冲的后一脉冲的前缘的延迟;依据该前一纹间表面及该当前坑区的波形长度,从该多个第一参数中选取相应的第一参数;依据该前一纹间表面及该当前坑区的波形长度,从该多个第二参数中选取相应的第二参数;依据该组被选取的写入方案参数,产生写入时间长度波形;以及利用该写入时间长度波形驱动该光学拾取器来将对应于该RLL调制波形的数据写入该光学存储介质。
地址 台湾省新竹市新竹科学工业园