具有铜/金刚石复合材料的半导体衬底及其制造方法

摘要

一种用于LDMOS型功率晶体管的半导体封装，其具有：一含金属的衬底，其上直接安装有芯片；在所述衬底上邻近芯片安装的引线框架绝缘体，以及安装在所述绝缘体上并通过焊丝电连接至所述芯片的多个引线。所述衬底包括一具有由纯铜层构成的相对表面的主体，主体内部至少部分由铜/金刚石复合材料构成，从而起着散热器的作用，从而提供改善的散热效果、低热膨胀、以及芯片的电连接。所述主体可以完全由铜/金刚石复合材料构成，或者由具有插入其中的铜/金刚石复合材料的铜/钨复合材料构成。铜/金刚石复合材料由铜基质中包含的金刚石颗粒构成。在制作所述铜/金刚石复合材料的方法中，在金刚石颗粒上涂覆多层元素或无机化合物，并将其与干压粘合剂混合，之后，在压力作用下，将其压入模具中，以形成一压实主体。将所述主体放在一片铜上并在真空或氢气气氛中加热，使粘合剂蒸发或分解，在真空或氢气气氛中加热，使经过涂覆的颗粒结合或部分烧结，之后在氢气气氛中加热至稍高于铜的熔点的温度，从而使铜熔化并注入到结合或部分烧结的金刚石颗粒中。随后，将所述压实主体冷却，并切割成所期望的形状。

主权项

1.一种半导体封装，其包括的一含金属的衬底，该衬底包括一主体，该主体具有由纯铜层构成的相对表面，所述主体至少部分由铜/金刚石复合材料构成。