| 发明名称 | 抗辐射加固电荷耦合器件非光敏区保护结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种抗辐射加固电荷耦合器件非光敏区保护结构。在电荷耦合器件的存储区及水平区的表面设置有铟保护层。本实用新型的优点是：电荷耦合器件的抗辐射能力提高了30％。 | ||
| 申请公布号 | CN2776847Y | 申请公布日期 | 2006.05.03 |
| 申请号 | CN200420105749.4 | 申请日期 | 2004.12.22 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 发明人 | 汪朝敏;陈于伟 |
| 分类号 | B64G1/54(2006.01) | 主分类号 | B64G1/54(2006.01) |
| 代理机构 | 重庆弘旭专利代理有限责任公司 | 代理人 | 侯懋琪 |
| 主权项 | 1、一种抗辐射加固电荷耦合器件非光敏区保护结构，其特征在于：在电荷耦合器件的存储区(1)及水平区(2)的表面设置有铟保护层(3)。 | ||
| 地址 | 400060重庆市南岸区南坪花园路14号44所 | ||